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  中寧硅業(yè)至2021年開(kāi)始研發(fā)硅碳材料的制備工藝，在硅烷熱空間自由分解制備高純納米硅粉的基礎(chǔ)上，借鑒了顆粒多晶硅的技術(shù)，從而開(kāi)發(fā)出一種高效硅烷CVD制備硅碳復(fù)合材料的工藝。目前研發(fā)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出兩種硅碳產(chǎn)品，性能優(yōu)異。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：公司高純乙硅烷生產(chǎn)線于2022年10月投產(chǎn)，這是國(guó)內(nèi)首條自創(chuàng)自主的以硅烷法生產(chǎn)乙硅烷的生產(chǎn)線，年產(chǎn)100噸高純乙硅烷，純度高達(dá)99.9999%。乙硅烷成膜溫度低、成膜速率快、膜質(zhì)量平滑均勻，所以可用來(lái)以薄膜沉積制備純硅，是半導(dǎo)體工業(yè)重要的特用電子級(jí)氣體之一。乙硅烷主要用于14納米及以下先進(jìn)制程芯片的生產(chǎn)，也用于非晶硅膜、氧化膜、...

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：碳化硅、氮化鎵已成為第三代半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,其最大的優(yōu)勢(shì)是較寬的禁帶寬度,更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率的電子器件。公司利用現(xiàn)有產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，延伸產(chǎn)品鏈，開(kāi)展第三代半導(dǎo)體的研究開(kāi)發(fā)工作。 產(chǎn)品展示：

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：2023年4月公司高純氟氮混合氣產(chǎn)品已經(jīng)正式投產(chǎn)，混合比氟氣占20%，氮?dú)庹?0%，達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平，公司采用專(zhuān)有技術(shù)生產(chǎn)高純氟氣，精準(zhǔn)配置氟氮混合氣。作為優(yōu)質(zhì)的蝕刻和清洗氣體之一，氟氣不會(huì)造成溫室效應(yīng)，被應(yīng)用于集成電路和各種電子元器件的生產(chǎn)，半導(dǎo)體制造工藝中CVD腔室的清洗。 產(chǎn)品展示：

公司于2022年6月完成了集成電路高純四氟化硅氣體研發(fā)并全面投產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能300噸高純四氟化硅氣體，純度高達(dá)99.999%，成為國(guó)內(nèi)第一家且唯一一家能夠大批次生產(chǎn)集成電路一高純四氟化硅氣體的企業(yè)。 高純四氟化硅（SiF4）作為電子工業(yè)重要原料之一，具有較高的氟硅比，是硅基半導(dǎo)體離子注入制程的關(guān)鍵成分，被廣泛應(yīng)用于光纖、半導(dǎo)體或...

  高純納米硅粉，是在電子級(jí)硅烷氣的基礎(chǔ)上向下游延伸的產(chǎn)品，采用自主開(kāi)發(fā)的熱CVD分解硅烷的方法，制備出的硅粉純度高達(dá)99.99%，粒度在20-100nm之間。并且實(shí)現(xiàn)200T/年的生產(chǎn)力，是國(guó)內(nèi)首條能產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)納米硅粉的生產(chǎn)線。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：      公司年產(chǎn)高純硅烷4000噸，純度≥99.9999%，是國(guó)內(nèi)首家國(guó)產(chǎn)化規(guī)模生產(chǎn)的廠家，是國(guó)內(nèi)唯——家同時(shí)進(jìn)入半導(dǎo)體、液晶、光伏和鍍膜玻璃四大領(lǐng)域的硅烷生產(chǎn)廠家。高純硅烷是半導(dǎo)體工業(yè)、電子信息產(chǎn)業(yè)、新能源產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原材料，可廣泛應(yīng)用于LCD平板顯示、半導(dǎo)體、太陽(yáng)能等領(lǐng)域。其純度高、無(wú)污染，對(duì)...